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MSKSEMI MS3134KDFN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MS3134KDFN |
| EBEE-Teilenummer | E822365397 |
| Gehäuse | DFN1006-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 20V 750mA 200mΩ@4.5V,500mA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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| 200+ | $0.0212 | $ 4.2400 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 2000+ | $0.0158 | $ 31.6000 |
| 10000+ | $0.0140 | $ 140.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MSKSEMI MS3134KDFN | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 350mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+125℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 155mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 750mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 38.2pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 14.4pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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