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MSKSEMI 5N10S-MS
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 5N10S-MS |
| EBEE-Teilenummer | E819272808 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 5A 1.2W 110mΩ@10V 1 N-channel SOT-223 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MSKSEMI 5N10S-MS | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 110mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.535nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26.2nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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