| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MEM2310M3G |
| EBEE-Teilenummer | E8489595 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 5.8A 37mΩ@2.5V,4A 1.4W 700mV@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0518 | $ 0.5180 |
| 100+ | $0.0414 | $ 4.1400 |
| 300+ | $0.0362 | $ 10.8600 |
| 3000+ | $0.0324 | $ 97.2000 |
| 6000+ | $0.0293 | $ 175.8000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2310M3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 5.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 37mΩ@2.5V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.4W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 700mV@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 77pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 823pF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 11nC@15V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0518 | $ 0.5180 |
| 100+ | $0.0414 | $ 4.1400 |
| 300+ | $0.0362 | $ 10.8600 |
| 3000+ | $0.0324 | $ 97.2000 |
| 6000+ | $0.0293 | $ 175.8000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
