| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MEM2302M3G |
| EBEE-Teilenummer | E870367 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 3A 50mΩ@4.5V,3A 0.46W 0.51V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0478 | $ 0.4780 |
| 100+ | $0.0389 | $ 3.8900 |
| 300+ | $0.0344 | $ 10.3200 |
| 3000+ | $0.0304 | $ 91.2000 |
| 6000+ | $0.0277 | $ 166.2000 |
| 9000+ | $0.0263 | $ 236.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2302M3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 0.46W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 0.51V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 80pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 300pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 4nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0478 | $ 0.4780 |
| 100+ | $0.0389 | $ 3.8900 |
| 300+ | $0.0344 | $ 10.3200 |
| 3000+ | $0.0304 | $ 91.2000 |
| 6000+ | $0.0277 | $ 166.2000 |
| 9000+ | $0.0263 | $ 236.7000 |
