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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD80N03D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDD80N03D |
| EBEE-Teilenummer | E85357579 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 30V 80A 44W 3.8Ω@10V,20A 1.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1396 | $ 0.1396 |
| 10+ | $0.1091 | $ 1.0910 |
| 30+ | $0.0960 | $ 2.8800 |
| 100+ | $0.0796 | $ 7.9600 |
| 500+ | $0.0724 | $ 36.2000 |
| 1000+ | $0.0680 | $ 68.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD80N03D | |
| RoHS | ||
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 3.8mΩ@10V;4.8mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 283pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.504nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 323pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.1091 | $ 1.0910 |
| 30+ | $0.0960 | $ 2.8800 |
| 100+ | $0.0796 | $ 7.9600 |
| 500+ | $0.0724 | $ 36.2000 |
| 1000+ | $0.0680 | $ 68.0000 |
