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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N06D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDD50N06D |
| EBEE-Teilenummer | E85299416 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 50A 62.5W 17mΩ@10V,20A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1418 | $ 0.7090 |
| 50+ | $0.1161 | $ 5.8050 |
| 150+ | $0.1033 | $ 15.4950 |
| 500+ | $0.0936 | $ 46.8000 |
| 2500+ | $0.0774 | $ 193.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N06D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 17mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 92pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.889nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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