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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDD50N03D |
| EBEE-Teilenummer | E85357578 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 30V 50A 28W 9mΩ@10V 1V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 200+ | $0.0754 | $ 15.0800 |
| 600+ | $0.0673 | $ 40.3800 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 6.5mΩ@10V;8.3mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 164pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.015nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 201pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.6nC |
Einkaufsleitfaden
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