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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD20N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDD20N65F |
| EBEE-Teilenummer | E85299409 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 2A 45W 500mΩ@10V,10A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD20N65F | |
| RoHS | ||
| Typ | - | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 500mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.962nF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 58.3nC |
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