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MDD(Microdiode Semiconductor) BSS84
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS84 |
| EBEE-Teilenummer | E8427395 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 170mA 9.9Ω@4.5V,150mA 350mW 900mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0153 | $ 0.7650 |
| 500+ | $0.0124 | $ 6.2000 |
| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
| 6000+ | $0.0089 | $ 53.4000 |
| 24000+ | $0.0081 | $ 194.4000 |
| 51000+ | $0.0076 | $ 387.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) BSS84 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 9.9Ω@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.8pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 170mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 43pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.77nC@30V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
| 6000+ | $0.0089 | $ 53.4000 |
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