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MDD(Microdiode Semiconductor) BSS138
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS138 |
| EBEE-Teilenummer | E8427380 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 50V 500mA 1.1Ω@4.5V,0.3A 500mW 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 30+ | $0.0156 | $ 0.4680 |
| 300+ | $0.0127 | $ 3.8100 |
| 900+ | $0.0110 | $ 9.9000 |
| 3000+ | $0.0090 | $ 27.0000 |
| 15000+ | $0.0082 | $ 123.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) BSS138 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.1Ω@10V;2Ω@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 340mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.8pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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