| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ME15N10-G |
| EBEE-Teilenummer | E8147781 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 14.7A 34.7W 100mΩ@10V,8A 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MATSUKI ME15N10-G | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 14.7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | |
| Stromableitung (Pd) | 34.7W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
