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MATSUKI ME08N20-G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ME08N20-G |
| EBEE-Teilenummer | E8709728 |
| Gehäuse | TO-252-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MATSUKI ME08N20-G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 350mΩ@10V,5A | |
| Stromableitung (Pd) | 74.9W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.61nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 51.7nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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