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MASPOWER MS33N20HGC0
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MS33N20HGC0 |
| EBEE-Teilenummer | E85353695 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 33A 85mΩ@10V,16A 180W 4V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.0921 | $ 10.9210 |
| 30+ | $0.9701 | $ 29.1030 |
| 90+ | $0.8310 | $ 74.7900 |
| 450+ | $0.7693 | $ 346.1850 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MASPOWER MS33N20HGC0 | |
| RoHS | ||
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 85mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -65℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.85nF | |
| Gate Charge(Qg) | 158nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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