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MASPOWER MS13N20HGD0
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MS13N20HGD0 |
| EBEE-Teilenummer | E87424119 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 13A 140W 120mΩ@10V,6.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3443 | $ 3.4430 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MASPOWER MS13N20HGD0 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 120mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@160V |
Einkaufsleitfaden
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