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LRC LN2308LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LN2308LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E883150 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 2.6A 700mW 130mΩ@4.5V,2.1A 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0710 | $ 0.7100 |
| 100+ | $0.0585 | $ 5.8500 |
| 300+ | $0.0523 | $ 15.6900 |
| 3000+ | $0.0476 | $ 142.8000 |
| 6000+ | $0.0439 | $ 263.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LRC LN2308LT1G | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 130mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 700mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 350pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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