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LRC LBSS8402DW1T1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LBSS8402DW1T1G |
| EBEE-Teilenummer | E8383206 |
| Gehäuse | SC-88 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 50V 130mA 380mW 1.5V 1 N-Channel + 1 P-Channel SC-88 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0427 | $ 0.4270 |
| 100+ | $0.0337 | $ 3.3700 |
| 300+ | $0.0293 | $ 8.7900 |
| 3000+ | $0.0260 | $ 78.0000 |
| 6000+ | $0.0233 | $ 139.8000 |
| 9000+ | $0.0219 | $ 197.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LRC LBSS8402DW1T1G | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 10Ω@2.75V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 380mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 42pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0427 | $ 0.4270 |
| 100+ | $0.0337 | $ 3.3700 |
| 300+ | $0.0293 | $ 8.7900 |
| 3000+ | $0.0260 | $ 78.0000 |
| 6000+ | $0.0233 | $ 139.8000 |
| 9000+ | $0.0219 | $ 197.1000 |
