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LRC L2N7002DW1T1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | L2N7002DW1T1G |
| EBEE-Teilenummer | E8383161 |
| Gehäuse | SC-88 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 380mW 2V@250uA 1 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 20+ | $0.0271 | $ 0.5420 |
| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0175 | $ 10.5000 |
| 3000+ | $0.0154 | $ 46.2000 |
| 9000+ | $0.0136 | $ 122.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LRC L2N7002DW1T1G | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 380mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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