| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LSGN06R036HWB |
| EBEE-Teilenummer | E82836191 |
| Gehäuse | DFN-8(4.9x5.8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 83A 57W 3.6mΩ@10V,20A 4V@250uA DFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4643 | $ 0.4643 |
| 10+ | $0.4137 | $ 4.1370 |
| 30+ | $0.3884 | $ 11.6520 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3071 | $ 153.5500 |
| 1000+ | $0.2998 | $ 299.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LONTEN LSGN06R036HWB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 83A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.6mΩ@10V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 57W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 67pF@30V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3511pF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4643 | $ 0.4643 |
| 10+ | $0.4137 | $ 4.1370 |
| 30+ | $0.3884 | $ 11.6520 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3071 | $ 153.5500 |
| 1000+ | $0.2998 | $ 299.8000 |
