| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LSGE06R046HWB |
| EBEE-Teilenummer | E82836186 |
| Gehäuse | TO-263-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 104A 4.6mΩ@10V,20A 89W 4V@250uA TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LONTEN LSGE06R046HWB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 104A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 89W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 67pF@30V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3511pF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
