| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LSG60R650HT |
| EBEE-Teilenummer | E8779920 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 7A 550mΩ@10V,3.5A 3.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4317 | $ 4.3170 |
| 30+ | $0.4064 | $ 12.1920 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3649 | $ 182.4500 |
| 1000+ | $0.3577 | $ 357.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LONTEN LSG60R650HT | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 550mΩ@10V,3.5A | |
| Stromableitung (Pd) | - | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.15pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 481pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 13.1nC |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4317 | $ 4.3170 |
| 30+ | $0.4064 | $ 12.1920 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3649 | $ 182.4500 |
| 1000+ | $0.3577 | $ 357.7000 |
