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Littelfuse/IXYS IXTH52N65X
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IXTH52N65X |
| EBEE-Teilenummer | E83281021 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 52A 68mΩ@10V,52A 104W 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6945 | $ 7.6945 |
| 10+ | $6.6333 | $ 66.3330 |
| 30+ | $5.6672 | $ 170.0160 |
| 100+ | $5.1250 | $ 512.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Littelfuse/IXYS IXTH52N65X | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 68mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 660W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 3.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 113nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6945 | $ 7.6945 |
| 10+ | $6.6333 | $ 66.3330 |
| 30+ | $5.6672 | $ 170.0160 |
| 100+ | $5.1250 | $ 512.5000 |
