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LGE G2309
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G2309 |
| EBEE-Teilenummer | E827975289 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 100+ | $0.0432 | $ 4.3200 |
| 300+ | $0.0374 | $ 11.2200 |
| 3000+ | $0.0332 | $ 99.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LGE G2309 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 300mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -40℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 310pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.4nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 3000+ | $0.0332 | $ 99.6000 |
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