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LGE BSS138DW
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS138DW |
| EBEE-Teilenummer | E827975287 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-363 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0400 | $ 0.4000 |
| 100+ | $0.0317 | $ 3.1700 |
| 300+ | $0.0275 | $ 8.2500 |
| 3000+ | $0.0243 | $ 72.9000 |
| 6000+ | $0.0218 | $ 130.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LGE BSS138DW | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3.5Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.7nC |
Einkaufsleitfaden
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