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LGE 2SK3018
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SK3018 |
| EBEE-Teilenummer | E83010097 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 30V 100mA 200mW 5Ω@4V,10mA 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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| 5+ | $0.0321 | $ 0.1605 |
| 50+ | $0.0253 | $ 1.2650 |
| 150+ | $0.0219 | $ 3.2850 |
| 500+ | $0.0194 | $ 9.7000 |
| 3000+ | $0.0160 | $ 48.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LGE 2SK3018 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 13Ω@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 13pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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