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LGE 2N7002
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N7002 |
| EBEE-Teilenummer | E8402224 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 115mA 200mW 7.5Ω@10V,500mA 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0196 | $ 0.3920 |
| 200+ | $0.0154 | $ 3.0800 |
| 600+ | $0.0131 | $ 7.8600 |
| 3000+ | $0.0104 | $ 31.2000 |
| 9000+ | $0.0091 | $ 81.9000 |
| 21000+ | $0.0085 | $ 178.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | LGE 2N7002 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 7.5Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF |
Einkaufsleitfaden
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| 600+ | $0.0131 | $ 7.8600 |
| 3000+ | $0.0104 | $ 31.2000 |
| 9000+ | $0.0091 | $ 81.9000 |
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