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KY KY2004KNC
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | KY2004KNC |
| EBEE-Teilenummer | E83029285 |
| Gehäuse | DFN1006-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 660mA 650mΩ@4.5V,0.15A 150mW 650mV@250uA 1 Piece P-Channel DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0298 | $ 0.5960 |
| 200+ | $0.0234 | $ 4.6800 |
| 600+ | $0.0198 | $ 11.8800 |
| 2000+ | $0.0177 | $ 35.4000 |
| 10000+ | $0.0151 | $ 151.0000 |
| 20000+ | $0.0141 | $ 282.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | KY KY2004KNC | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 1.7Ω@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 113pF |
Einkaufsleitfaden
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| 2000+ | $0.0177 | $ 35.4000 |
| 10000+ | $0.0151 | $ 151.0000 |
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