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KTP FQD5N50XD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FQD5N50XD |
| EBEE-Teilenummer | E842404744 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0907 | $ 0.4535 |
| 50+ | $0.0717 | $ 3.5850 |
| 150+ | $0.0622 | $ 9.3300 |
| 500+ | $0.0551 | $ 27.5500 |
| 2500+ | $0.0494 | $ 123.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | KTP FQD5N50XD | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 2.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 625pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0717 | $ 3.5850 |
| 150+ | $0.0622 | $ 9.3300 |
| 500+ | $0.0551 | $ 27.5500 |
| 2500+ | $0.0494 | $ 123.5000 |
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