Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
KTP FQD2N65SE
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FQD2N65SE |
| EBEE-Teilenummer | E842404739 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>2335 Auf Lager für schnelle Lieferung
2335 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | KTP FQD2N65SE | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 4.8Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 350pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
2335 Stock for Shipping Fast
2335 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
