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KTP FQD10N65SE
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FQD10N65SE |
| EBEE-Teilenummer | E842404734 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | KTP FQD10N65SE | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 900mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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