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JSMSEMI SIA519EDJ-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIA519EDJ-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E82874706 |
| Gehäuse | WDFN-6-EP(2x2) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 4.5A 7.8W 1.4V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel WDFN-6-EP(2x2) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | JSMSEMI SIA519EDJ-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 90mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 7.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
Einkaufsleitfaden
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