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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJ2305
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CJ2305 |
| EBEE-Teilenummer | E88549 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 12V 4.1A 90mΩ@1.8V,2A 350mW 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0355 | $ 0.3550 |
| 100+ | $0.0286 | $ 2.8600 |
| 300+ | $0.0251 | $ 7.5300 |
| 3000+ | $0.0213 | $ 63.9000 |
| 6000+ | $0.0203 | $ 121.8000 |
| 9000+ | $0.0196 | $ 176.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJ2305 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 90mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 190pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 740pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 300+ | $0.0251 | $ 7.5300 |
| 3000+ | $0.0213 | $ 63.9000 |
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