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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 2SK3018
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SK3018 |
| EBEE-Teilenummer | E8194460 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 100mA 200mW 8Ω@4V,10mA 1.5V 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0264 | $ 0.5280 |
| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0184 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0143 | $ 42.9000 |
| 9000+ | $0.0136 | $ 122.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 2SK3018 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 13Ω@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 13pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 9pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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| 3000+ | $0.0143 | $ 42.9000 |
| 9000+ | $0.0136 | $ 122.4000 |
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