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InventChip IVST12050SA1L
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IVST12050SA1L |
| EBEE-Teilenummer | E85806860 |
| Gehäuse | SOT-227 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.2kV 64A 413W 50mΩ@20V,20A 3.2V@6mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $37.3986 | $ 37.3986 |
| 3+ | $36.7820 | $ 110.3460 |
| 30+ | $34.9319 | $ 1047.9570 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IVST12050SA1L | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 50mΩ@20V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 413W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 64A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $34.9319 | $ 1047.9570 |
