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InventChip IVST12050MA1L
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IVST12050MA1L |
| EBEE-Teilenummer | E85806859 |
| Gehäuse | SOT-227 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.2kV 64A 413W 50mΩ@20V,20A 2.2V@6mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $47.2491 | $ 47.2491 |
| 3+ | $43.2058 | $ 129.6174 |
| 30+ | $41.0002 | $ 1230.0060 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IVST12050MA1L | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 65mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 16.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 413W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 64A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 217pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $41.0002 | $ 1230.0060 |
