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InventChip IV2Q12160D7Z
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV2Q12160D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E822368199 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IV2Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 208mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
