| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV2Q12080D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E822368197 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8390 | $ 9.8390 |
| 10+ | $8.4386 | $ 84.3860 |
| 30+ | $7.5860 | $ 227.5800 |
| 100+ | $6.8700 | $ 687.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IV2Q12080D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 104mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 41A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.214nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58.1pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8390 | $ 9.8390 |
| 10+ | $8.4386 | $ 84.3860 |
| 30+ | $7.5860 | $ 227.5800 |
| 100+ | $6.8700 | $ 687.0000 |
