| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV2Q12040D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E822368195 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $16.0215 | $ 16.0215 |
| 10+ | $15.2552 | $ 152.5520 |
| 30+ | $13.9263 | $ 417.7890 |
| 100+ | $12.7660 | $ 1276.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IV2Q12040D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 52mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 417W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.16nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $16.0215 | $ 16.0215 |
| 10+ | $15.2552 | $ 152.5520 |
| 30+ | $13.9263 | $ 417.7890 |
| 100+ | $12.7660 | $ 1276.6000 |
