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InventChip IV2Q12030D7Z
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV2Q12030D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E822368193 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $18.0156 | $ 18.0156 |
| 10+ | $17.1527 | $ 171.5270 |
| 30+ | $15.6583 | $ 469.7490 |
| 100+ | $14.3555 | $ 1435.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IV2Q12030D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 39mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 395W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 79A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 135nC |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 30+ | $15.6583 | $ 469.7490 |
| 100+ | $14.3555 | $ 1435.5500 |
