| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV2Q06060D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E822368190 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2920 | $ 8.2920 |
| 10+ | $8.0928 | $ 80.9280 |
| 30+ | $7.9594 | $ 238.7820 |
| 100+ | $7.8261 | $ 782.6100 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | InventChip IV2Q06060D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 78mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 174W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.218nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 64nC |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2920 | $ 8.2920 |
| 10+ | $8.0928 | $ 80.9280 |
| 30+ | $7.9594 | $ 238.7820 |
| 100+ | $7.8261 | $ 782.6100 |
