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Infineon Technologies IRFB3207PBF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFB3207PBF |
| EBEE-Teilenummer | E82578 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 75V 170A 330W 4.5mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IRFB3207PBF | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 390pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 330W | |
| Drain to Source Voltage | 75V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 710pF | |
| Gate Charge(Qg) | 260nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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