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Infineon Technologies IRFB3206PBF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFB3206PBF |
| EBEE-Teilenummer | E82642 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 210A 300W 2.4mΩ@10V,75A 2V@150uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IRFB3206PBF | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 360pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.54nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 720pF | |
| Gate Charge(Qg) | 170nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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