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HXY MOSFET SI2319
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2319 |
| EBEE-Teilenummer | E85337197 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 5A 85mΩ@10V 3V 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0548 | $ 0.5480 |
| 100+ | $0.0451 | $ 4.5100 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0298 | $ 89.4000 |
| 6000+ | $0.0269 | $ 161.4000 |
| 9000+ | $0.0254 | $ 228.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HXY MOSFET SI2319 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 85mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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