25% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HXY MOSFET SI2310-HXY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2310-HXY |
| EBEE-Teilenummer | E84748716 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 3A 1.7W 86mΩ@10V,3A 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>3360 Auf Lager für schnelle Lieferung
3360 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0274 | $ 0.2740 |
| 100+ | $0.0227 | $ 2.2700 |
| 300+ | $0.0204 | $ 6.1200 |
| 3000+ | $0.0173 | $ 51.9000 |
| 6000+ | $0.0159 | $ 95.4000 |
| 9000+ | $0.0152 | $ 136.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HXY MOSFET SI2310-HXY | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 72mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 510pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
3360 Stock for Shipping Fast
3360 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0274 | $ 0.2740 |
| 100+ | $0.0227 | $ 2.2700 |
| 300+ | $0.0204 | $ 6.1200 |
| 3000+ | $0.0173 | $ 51.9000 |
| 6000+ | $0.0159 | $ 95.4000 |
| 9000+ | $0.0152 | $ 136.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
