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HXY MOSFET SI2308
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2308 |
| EBEE-Teilenummer | E85337194 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 3A 86mΩ@10V,3A 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 20+ | $0.0358 | $ 0.7160 |
| 200+ | $0.0290 | $ 5.8000 |
| 600+ | $0.0252 | $ 15.1200 |
| 3000+ | $0.0208 | $ 62.4000 |
| 9000+ | $0.0188 | $ 169.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HXY MOSFET SI2308 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 85mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 295pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.9nC@27V |
Einkaufsleitfaden
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