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HXY MOSFET SI2301-ZE
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2301-ZE |
| EBEE-Teilenummer | E85261052 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 20V 2.3A 700mW 126mΩ@4.5V 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0101 | $ 1.0100 |
| 1000+ | $0.0090 | $ 9.0000 |
| 3000+ | $0.0070 | $ 21.0000 |
| 9000+ | $0.0066 | $ 59.4000 |
| 51000+ | $0.0063 | $ 321.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HXY MOSFET SI2301-ZE | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS(on) | 120mΩ@4.5V;145mΩ@2.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 32pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 700mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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