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HXY MOSFET AO6800-HXY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AO6800-HXY |
| EBEE-Teilenummer | E85148655 |
| Gehäuse | SOT-23-6L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 4.5A 29mΩ@10V,4A 1.25W 2 N-Channel SOT-23-6L MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0631 | $ 0.3155 |
| 50+ | $0.0517 | $ 2.5850 |
| 150+ | $0.0460 | $ 6.9000 |
| 500+ | $0.0417 | $ 20.8500 |
| 3000+ | $0.0370 | $ 111.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HXY MOSFET AO6800-HXY | |
| RoHS | ||
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 38mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 33pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 233pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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