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HXY MOSFET AO3400-ED
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AO3400-ED |
| EBEE-Teilenummer | E84748722 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 3A 900mW 55mΩ@10V,2.8A 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0193 | $ 0.9650 |
| 500+ | $0.0159 | $ 7.9500 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 6000+ | $0.0110 | $ 66.0000 |
| 24000+ | $0.0100 | $ 240.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HXY MOSFET AO3400-ED | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 55mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 27pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 6000+ | $0.0110 | $ 66.0000 |
| 24000+ | $0.0100 | $ 240.0000 |
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