| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HSCB10P02 |
| EBEE-Teilenummer | E828314515 |
| Gehäuse | DFN-6L(2x2) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 10A 20mΩ@4.5V,8A 3.5W 600mV@250uA 1 Piece P-Channel DFN-6L(2x2) MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0500 | $ 0.5000 |
| 100+ | $0.0406 | $ 4.0600 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 1000+ | $0.0323 | $ 32.3000 |
| 5000+ | $0.0296 | $ 148.0000 |
| 10000+ | $0.0281 | $ 281.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HUASHUO HSCB10P02 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,8A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 600mV@250uA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0500 | $ 0.5000 |
| 100+ | $0.0406 | $ 4.0600 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 1000+ | $0.0323 | $ 32.3000 |
| 5000+ | $0.0296 | $ 148.0000 |
| 10000+ | $0.0281 | $ 281.0000 |
