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HUASHUO HSBG2103
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HSBG2103 |
| EBEE-Teilenummer | E8845598 |
| Gehäuse | DFN1006-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HUASHUO HSBG2103 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 650mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 520mΩ@4.5V,650mA | |
| Stromableitung (Pd) | 150mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA |
Einkaufsleitfaden
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