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HUASHUO HSBG2024
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HSBG2024 |
| EBEE-Teilenummer | E8508789 |
| Gehäuse | X1-DFN1006-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 1.4A 230mΩ@4.5V,550mA 700mW 1V@250uA 1 N-Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
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| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | HUASHUO HSBG2024 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 1.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 230mΩ@4.5V,550mA | |
| Stromableitung (Pd) | 700mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA |
Einkaufsleitfaden
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